图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | 8 V |
| 连续漏极电流 | - 3.2 A |
| 正向跨导 - 闵 | 7.5 S |
| RDS（ON） | 112 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 0.73 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 |
| 栅极电荷Qg | 7.5 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 30.2 ns |
| 上升时间 | 12.6 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 20 V |
| 下降时间 | 21 ns |
| 系列 | * |
| 标准包装 | 3,000 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 0.72 V |
| Qg - Gate Charge | 7.5 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | - 3.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 112 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型导通延迟时间 | 7.5 ns |
| Pd - Power Dissipation | 730 mW |
| 技术 | Si |
NTR4101PT1H也可以通过以下分类找到
NTR4101PT1H相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
